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Este amplificador de potencia cubierto 400-700M tiene el volumen más pequeño y puede acercarse a 100W y también tiene la corriente más pequeña para lograr una eficiencia del 50% -55%.
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Desarrollar tres tipos de fuente: fuente LORA (Interferencia de la misma frecuencia de largo alcance)
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Este módulo amplificador utiliza los últimos transistores GaN RF de alta potencia.
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Este amplificador es adecuado para interferencias.

PARÁMETRO
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UNIDAD |
MÍNIMO |
TIPO |
MÁXIMO |
SÍMBOLOS L |
Frecuencia de operación |
megahercio |
400 |
- |
700 |
FO |
Ancho de banda operativo |
megahercio |
- |
300 |
- |
Blanco y negro |
Potencia máxima de salida Señal @CW |
W |
- |
100 |
- |
Examen PSAT |
Potencia de entrada |
dBm |
- |
- |
- |
ALFILER |
Potencia máxima de entrada @Sin daños |
dBm |
|
- |
- |
PIN, MÁXIMO |
Ganancia de potencia @Potencia de entrada 0dBm |
dB |
- |
50±3 |
- |
Médico de cabecera |
Ganancia de planitud @Potencia de entrada 0dBm |
dB |
- |
- |
±1 |
▲GP |
Eficiencia |
% |
50 |
52 |
55 |
Fondo Europeo de Financiamiento |
Armónicos 1 a N @Potencia de salida 100W |
dBc |
12 |
13 |
15 |
HN |
Nivel espurio |
dBc |
60 |
- |
- |
Estimular |
VSWR de entrada |
dB |
- |
- |
- |
ROE |
VSWR de salida |
dB |
- |
- |
2:1 |
ROE |
Voltaje de funcionamiento |
V |
24 |
28 |
32 |
VCC |
Consumo actual @Potencia de salida 100W |
A |
- |
6 |
- |
IDC |
-
Hoja de datos del amplificador de GaN AMP550-100W