Q1: What is the frequency range of this power amplifier module?

A: The module operates in the 700–1050 MHz frequency band.

Q2: What type of transistor technology is used in this amplifier?

A: This amplifier uses high-efficiency GaN (Gallium Nitride) solid-state technology.

Q3: What is the maximum output power of this module?

A: The module delivers up to 100W output power.

Q4: What applications is this amplifier suitable for?

A: It's ideal for use in military communication, broadcasting, RF testing, and other wideband systems.

Q5: Does the module have any built-in protection features?

A: Yes, it typically includes protection for over-temperature, over-voltage, and output mismatch.

Радіочастотний модуль

Широкосмуговий та потужний

Радіочастотний детектор

Портативний детектор дронів

The Module Is A 700-1050 Mhz 100w High Gain Solid State High Gan Power Amplifier

ФУНКЦІОНАЛЬНІ ОСОБЛИВОСТІ
ІНДИКАТОРИ ПАРАМЕТРІВ
ЗАВАНТАЖИТИ

Функціональний Особливості

Цей підсилювач потужності охоплює діапазон 700-1050M, має найменший об'єм і може збільшуватися до 100 Вт, а також має найменший струм для досягнення ККД 50%-55%.
розробити три типи джерел: джерело LORA (перешкоди на великій відстані однакової частоти)
Цей підсилювальний модуль використовує найновіші потужні радіочастотні GaN транзистори.
Цей підсилювач підходить для глушіння.

Параметр Індикатори

ПАРАМЕТР	БЛОК	ХВ	ТИП	МАКС	СИМВОЛИ L
Робоча частота	МГц	700	-	1050	ФО
Робоча пропускна здатність	МГц	-	350	-	ЧБ
Пікова вихідна потужність @CW Signal	W	-	100	-	PSAT
Вхідна потужність	дБм	-	-	-	ПІН-код
Максимальна вхідна потужність @Без пошкоджень	дБм		-	-	ПІН-код, МАКС
Посилення потужності @Вхідна потужність 0 дБм	дБ	-	50±3	-	Сімейний лікар
Посилення площинності @Вхідна потужність 0 дБм	дБ	-	-	±1	▲ГП
Ефективність	%	50	52	55	ЕФФ
Гармоніки від 1 до N @Вихідна потужність 100 Вт	дБн	12	13	15	ГН
Рівень паразитних перешкод	дБн	60	-	-	Шпора
Вхідний КСХН	дБ	-	-	-	КСХН
Вихідний КСХН	дБ	-	-	2:1	КСХН
Робоча напруга	V	24	28	32	В постійного струму
Споживання струму @Вихідна потужність 100 Вт	A	-	7	-	ІДК

Завантажити Ресурси

Технічний опис підсилювача AMP875-100 Вт на основі GaN

ЗАВАНТАЖИТИ

Ми постачаємо потужне радіочастотне підсилення для
Критично важливі програми

Професійно розширюйте можливості широкосмугових комунікаційних систем за допомогою висококоефіцієнтної твердотільної технології GaN.

ПЕРЕГЛЯНУТИ БІЛЬШЕ

Підсилювач потужності 700-1050 МГц 100 Вт – поширені запитання

Q1: Який діапазон частот цього модуля підсилювача потужності?

A: Модуль працює в діапазоні частот 700–1050 МГц.
Q2: Який тип транзисторної технології використовується в цьому підсилювачі?

A: Цей підсилювач використовує високоефективну твердотільну технологію GaN (нітрид галію).
Q3: Яка максимальна вихідна потужність цього модуля?

A: Модуль забезпечує вихідну потужність до 100 Вт.
Q4: Для яких застосувань підходить цей підсилювач?

В: Він ідеально підходить для використання у військовому зв'язку, мовленні, радіочастотних випробуваннях та інших широкосмугових системах.
Q5: Чи має модуль якісь вбудовані функції захисту?

В: Так, зазвичай він включає захист від перегріву, перенапруги та невідповідності вихідних даних.

Залишити всередині Дотик

Наші можливості використовуються для захисту військових, урядових структур, правоохоронних органів, критичної інфраструктури, комерційних об'єктів та VIP-персон по всьому світу. Завдяки нашій команді інженерів ми пропонуємо клієнтам індивідуальні рішення та готові продукти, розроблені для різноманітних наземних, морських або повітряних платформ.