Q1: What is the frequency range of this power amplifier module?

A: The module operates in the 700–1050 MHz frequency band.

Q2: What type of transistor technology is used in this amplifier?

A: This amplifier uses high-efficiency GaN (Gallium Nitride) solid-state technology.

Q3: What is the maximum output power of this module?

A: The module delivers up to 100W output power.

Q4: What applications is this amplifier suitable for?

A: It's ideal for use in military communication, broadcasting, RF testing, and other wideband systems.

Q5: Does the module have any built-in protection features?

A: Yes, it typically includes protection for over-temperature, over-voltage, and output mismatch.

Módulo de radiofrecuencia

Banda ancha y potencia personalizada

Detector de radiofrecuencia

Detector de drones portátil

The Module Is A 700-1050 Mhz 100w High Gain Solid State High Gan Power Amplifier

CARACTERÍSTICAS FUNCIONALES
INDICADORES DE PARÁMETROS
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Funcional Características

Este amplificador de potencia cubierto 700-1050M tiene el volumen más pequeño y puede acercarse a 100W, así como la corriente más pequeña para lograr una eficiencia del 50% -55%.
Desarrollar tres tipos de fuente: fuente LORA (Interferencia de la misma frecuencia de largo alcance)
Este módulo amplificador utiliza los últimos transistores GaN RF de alta potencia.
Este amplificador es adecuado para interferencias.

Parámetro Indicadores

PARÁMETRO	UNIDAD	MÍNIMO	TIPO	MÁXIMO	SÍMBOLOS L
Frecuencia de operación	megahercio	700	-	1050	FO
Ancho de banda operativo	megahercio	-	350	-	Blanco y negro
Potencia máxima de salida Señal @CW	W	-	100	-	Examen PSAT
Potencia de entrada	dBm	-	-	-	ALFILER
Potencia máxima de entrada @Sin daños	dBm		-	-	PIN, MÁXIMO
Ganancia de potencia @Potencia de entrada 0dBm	dB	-	50±3	-	Médico de cabecera
Ganancia de planitud @Potencia de entrada 0dBm	dB	-	-	±1	▲GP
Eficiencia	%	50	52	55	Fondo Europeo de Financiamiento
Armónicos 1 a N @Potencia de salida 100W	dBc	12	13	15	HN
Nivel espurio	dBc	60	-	-	Estimular
VSWR de entrada	dB	-	-	-	ROE
VSWR de salida	dB	-	-	2:1	ROE
Voltaje de funcionamiento	V	24	28	32	VCC
Consumo actual @Potencia de salida 100W	A	-	7	-	IDC

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Hoja de datos del amplificador de GaN AMP875-100W

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Preguntas frecuentes sobre amplificadores de potencia de 100 W y 700-1050 MHz

Q1: ¿Cuál es el rango de frecuencia de este módulo amplificador de potencia?

R: El módulo opera en la banda de frecuencia de 700–1050 MHz.
P2: ¿Qué tipo de tecnología de transistor se utiliza en este amplificador?

R: Este amplificador utiliza tecnología de estado sólido GaN (nitruro de galio) de alta eficiencia.
Q3: ¿Cuál es la potencia de salida máxima de este módulo?

R: El módulo proporciona una potencia de salida de hasta 100 W.
P4: ¿Para qué aplicaciones es adecuado este amplificador?

R: Es ideal para su uso en comunicaciones militares, radiodifusión, pruebas de RF y otros sistemas de banda ancha.
Q5: ¿El módulo tiene alguna función de protección incorporada?

R: Sí, normalmente incluye protección contra sobretemperatura, sobretensión y desajuste de salida.

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