Q1: What is the operating frequency range of this amplifier?

A: It operates from 100 MHz to 400 MHz.

Q2: How much power does the amplifier output?

A: It provides a maximum of 50 watts RF output.

Q3: What kind of technology is used in the amplifier design?

A: The module uses high-performance Gallium Nitride (GaN) solid-state technology.

Q4: What are common use cases for this amplifier?

A: It’s widely used in military communication, RF jamming, signal testing, and emergency broadcast systems.

Q5: Are there built-in protection features?

A: Yes, the module includes protections for over-temperature, over-voltage, and high VSWR conditions.

100～6200MHz 50w Function with VSWR、Detection、TEMP

ФУНКЦІОНАЛЬНІ ОСОБЛИВОСТІ
ІНДИКАТОРИ ПАРАМЕТРІВ
ЗАВАНТАЖИТИ
APPLICATION SCENARIOS

Функціональний Особливості

VSWR、FWD、TEMP、CURR.
develop three types of source:LORA(Long Range Same Frequency Interference) source.
Цей підсилювальний модуль використовує найновіші потужні радіочастотні GaN транзистори.
Цей підсилювач підходить для глушіння.

Параметр Індикатори

Electrical Specifications @ V_DC=24-32V（Wide voltage input）, T_C=50°C, 50W System

ПАРАМЕТР	БЛОК	ХВ	ТИП	МАКС	СИМВОЛ
Робоча частота range	МГц	100	-	6000	F_O
Робоча пропускна здатність	МГц	-	150	-	ЧБ
Peak Output Power @CW Signal	W	-	50	-	PSAT
Вхідна потужність	дБм	-	-	-	ПІН-код
Maximum Input Power @Without Damage	дБм		-	-	ПІН-код, МАКС
Power Gain @Input Power 0dBm	дБ	-	47±3	-	G_P
Gain Flatness @Input Power 0dBm	дБ	-	-	±1	∆G_P
Ефективність	%	50	52	55	ЕФФ
Harmonics 1 to N @Output Power 50W	дБн	12	13	15	H_N
Рівень паразитних перешкод	дБн	60	-	-	Шпора
Вхідний КСХН	дБ	-	-	-	КСХН
Вихідний КСХН	дБ	-	-	2:1	КСХН
Робоча напруга	V	24	28	32	В постійного струму
Current Consumption @Output Power50W	A	-	3.5	-	ІДК

DC INTERFACE CONNECTOR – [Hybrid D-Sub 10-Pin, Male]

Pin#	Description	Specifications
1	GND	Ground
2	TEMP	Analog voltage relative to Module’s Temperature@10mV/°C
3	КСХН	Voltage standing wave alarm
4	PA_EN	Amplifier Enable:TTL Logic High(3.3V/ON、0V/OFF)
5	+28	+28VDC
6	GND	Ground
7	CURR	Analog voltage relative to IDD@100mV per Ampere
8	FWD	Forward power detection@50mV/1dB
9	+5V	External power supply:5V
10	+28V	+28VDC

Завантажити Ресурси

ЗАВАНТАЖИТИ

Application Scenarios

Customized development of 100～6200MHz 50Watt amplifier with muti-fuction,

unified size, support mass production

We Enable Powerful Frequency

Signal Amplifier with GaN Efficiency

Professionally support robust RF operations across the 100～6200 MHz narrowband band with compact, high-gain amplification.

ПЕРЕГЛЯНУТИ БІЛЬШЕ

100～6200Mhz 50w Power Amplifier FAQ

Q1: Який робочий діапазон частот цього підсилювача?

A: Він працює від 100 МГц до 400 МГц.
Q2: Яку потужність видає підсилювач?

A: Він забезпечує максимальну вихідну радіочастотну потужність 50 Вт.
Q3: Яка технологія використовується в конструкції підсилювача?

A: Модуль використовує високопродуктивну твердотільну технологію на основі нітриду галію (GaN).
Q4: Які поширені випадки використання цього підсилювача?

В: Він широко використовується у військовому зв'язку, радіочастотних глушниках, тестуванні сигналів та системах екстреного мовлення.
Q5: Чи є вбудовані функції захисту?

В: Так, модуль має захист від перегріву, перенапруги та високого КСХН.

Залишити всередині Дотик

Наші можливості використовуються для захисту військових, урядових структур, правоохоронних органів, критичної інфраструктури, комерційних об'єктів та VIP-персон по всьому світу. Завдяки нашій команді інженерів ми пропонуємо клієнтам індивідуальні рішення та готові продукти, розроблені для різноманітних наземних, морських або повітряних платформ.